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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 40 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.75 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 204 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 33 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGP19NC60KD | STMICROELECTRONICS |
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20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGP19NC60S | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 20A - TO-220 Medium frequency PowerMESH IGBT |
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| STGP19NC60W | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 19A - TO-220 Ultra fast PowerMESH IGBT |
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| STGP19NC60WD | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 19A - TO-220 - TO-247 Ultra |
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| STGP20H60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT |
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| STGP20H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 package |
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| STGP20H65FB2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 package |
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| STGP20IH65DF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-220 package |
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| STGP20M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、20 A，低损耗 |
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| STGP20NB37LZ | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT |
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