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STGP30NC60K

更新时间： 2024-01-27 23:01:25
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
15页 386K
描述
30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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STGP30NC60K 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.79外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：55 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE门极发射器阈值电压最大值：5.75 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：175 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：555 ns标称接通时间 (ton)：30 ns
Base Number Matches：1

STGP30NC60K 数据手册

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STGB30NC60K  
STGP30NC60K  
30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT  
Features  
■ Low on-voltage drop (V  
)
CE(sat)  
■ Low C / C ratio (no cross conduction  
res  
ies  
susceptibility)  
■ Short circuit withstand time 10 µs  
3
3
2
Applications  
1
1
D²PAK  
TO-220  
■ High frequency inverters  
■ Motor drivers  
Description  
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™  
process resulting in an excellent trade-off  
between switching performance and low on-state  
behavior.  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D²PAK  
TO-220  
Packaging  
STGB30NC60KT4  
STGP30NC60K  
GB30NC60K  
GP30NC60K  
Tape and reel  
Tube  
March 2008  
Rev 2  
1/15  
www.st.com  
15  
1234567...15

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STGP30NC60K 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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