STD12NE06

更新时间： 2024-01-07 19:16:46

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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N - CHANNEL 60V - 0.08ohm - 12A - IPAK/DPAK SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

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STD12NE06 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	45 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STD12NE06 数据手册

STD12NE06

N - CHANNEL 60V - 0.08

Ω

- 12A - IPAK/DPAK

SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STD12NE06

60 V

< 0.10 Ω

12 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.08 Ω

EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY

100 % AVALANCHE TESTED

APPLICATIONORIENTED

CHARACTERIZATION

■

ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE

& REEL

DESCRIPTION

IPAK

TO-251

(Suffix ”-1”)

DPAK

TO-252

(Suffix ”T4”)

This Power MOSFET is the latest developmentof

STMicroelectronics unique ”Single Feature

Size ” strip-based process. The resulting transi-

stor shows extremely high packing density for low

on-resistance, rugged avalanche characteristics

and less critical alignment steps therefore a re-

markable manufacturingreproducibility.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVES,etc.)

DC-DC & DC-AC CONVERTERS

SYNCHRONOUS RECTIFICATION

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Parameter

Value

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

± 20

Drain Current (continuous) at T_c= 25 C

I_D

Drain Current (continuous) at T_c= 100 C

_DM(• )

Drain Current (pulsed)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

Derating Factor

0.23

W/^oC

V/ns

^oC

dv/dt(¹) Peak Diode Recovery voltage slope

T_stg

Storage Temperature

-65 to 175

175

T_j

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

( ) I_SD≤ 12 A, di/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_j≤ T_JMAX

1/10

March 1999

12 3 4 5 6 7...10

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STD12NE06 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR014TRL	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与STD12NE06相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD12NE06-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	12A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, TO-251, IPAK-3
STD12NE06L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 60V - 0.09ohm- 12A TO-251/TO-252 STripFET POWER MOSFET
STD12NE06L-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-251AA
STD12NE06LT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-252AA
STD12NE06T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	12A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, DPAK-3
STD12NF06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STri
STD12NF06_09	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STrip
STD12NF06-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STr
STD12NF06L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STri
STD12NF06L_07	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STr

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