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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB75NF75TRL
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STB75NF75TRL

更新时间： 2024-11-16 13:14:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
11页 474K
描述
75A, 75V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3

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STB75NF75TRL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：680 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.013 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB75NF75TRL 数据手册

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STB75NF75  
STP75NF75 STP75NF75FP  
N-CHANNEL 75V - 0.0095 Ω - 80A TO-220/TO-220FP/D²PAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STB75NF75  
STP75NF75  
STP75NF75FP  
75 V  
75 V  
75 V  
<0.011 Ω  
<0.011 Ω  
<0.011 Ω  
80 A  
80 A  
80 A(*)  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0095 Ω  
DS  
3
3
1
2
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
1
100% AVALANCHE TESTED  
2
D PAK  
TO-263  
TO-220FP  
2
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4”)  
(Suffix “T4”)  
3
2
1
DESCRIPTION  
TO-220  
This MOSFET series realized with STMicroelectronics  
unique STripFET™ process has specifically been de-  
signed to minimize input capacitance and gate charge. It  
is therefore suitable as primary switch in advanced high-  
efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for  
Telecom and Computer applications. It is also intended for  
any applications with low gate drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
DC MOTOR CONTROL  
DC-DC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STB75NF75  
STP75NF75FP  
STP75NF75  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
75  
75  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 20  
V
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
80  
70  
80(*)  
70(*)  
320(*)  
45  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
320  
300  
2.0  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.3  
W/°C  
V/ns  
mJ  
V
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
12  
dv/dt  
E
700  
AS  
V
ISO  
------  
2000  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(*) Refer to SOA for the max allowable current values on FP-type  
due to Rth value  
(1) I ≤80A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
SD  
DD  
(BR)DSS j JMAX  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 40A, V = 37.5V  
j
D
DD  
June 2003  
1/11  
NEW DATASHEET ACCORDING TO PCN DSG20023123 MARKING: P75NF75 @  
1234567...11

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与STB75NF75TRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB75NH02L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 24V - 0.0062W -75A - D2PAK STripFET
STB75NH02L_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-Channel 24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET
STB75NH02LT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-Channel 24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET
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 		80A, 80V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-
STB772 AUK

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 		PNP Silicon Transistor
STB7720 STMICROELECTRONICS

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 		2400MHz - 2500MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER, 3 X 3 MM, LEAD FREE, LEADL
STB7720L STMICROELECTRONICS

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