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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.31 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB7NA40-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-262VAR |
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| STB7NA40T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-263AB |
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| STB7NB40 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET |
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| STB7NB40T4 | STMICROELECTRONICS |
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7A, 400V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
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| STB7NB60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 600V - 1.0 OMH - 7.2A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET |
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| STB7NB60-1 | STMICROELECTRONICS |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | TO-262AA |
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| STB7NB60T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | TO-252AA |
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| STB7NC70Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 700V - 1.1ohm - 6A TO-220/FP/D2PAK/ |
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| STB7NC70Z-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 700V - 1.1ohm - 6A TO-220/FP/D2PAK/ |
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| STB7NC70ZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 700V - 1.1 OHM - 6A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET |
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