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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB7NC70ZT4
STB7NC70ZT4 PDF预览

STB7NC70ZT4

更新时间： 2024-01-19 11:08:25
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 530K
描述
N-CHANNEL 700V - 1.1 OHM - 6A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET

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STB7NC70ZT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.7Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：238 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：700 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：1.38 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB7NC70ZT4 数据手册

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STP7NC70Z - STP7NC70ZFP  
STB7NC70Z - STB7NC70Z-1  
N-CHANNEL 700V - 1.1Ω - 6A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP7NC70Z/FP  
STB7NC70Z/-1  
700V  
700V  
< 1.38Ω  
< 1.38Ω  
6 A  
6 A  
3
1
■
■
TYPICAL R (on) = 1.1Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY GATE  
TO - SOURCE ZENER DIODES  
2
3
D PAK  
2
1
TO-220  
TO-220FP  
■
■
■
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
2
I PAK  
(Tabless TO-220)  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed  
on-resistance per unit area while integrating back-to-  
back Zener diodes between gate and source. Such ar-  
rangement gives extra ESD capability with higher rug-  
gedness performance as requested by a large variety  
of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)7NC70Z(-1) STP7NC70ZFP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
700  
700  
± 25  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
6
3.7  
24  
125  
1
6(*)  
3.7(*)  
24  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
(1)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
40  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.32  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
V
I
Gate-source Current  
±50  
3
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
ESD(G-S)  
dv/dt  
3
V
ISO  
--  
2000  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
May 2003  
(1)I ≤6A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
(2) Limited only by maximum temperature allowed  
.
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
1/13  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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