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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2300 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.004 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB80NF03L-06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
80A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3 |
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| STB80NF03L-06-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
80A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 |
|
| STB80NF04 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL 40V - 0.008 OHM - 80A D2PAK/TO-220 STRIPFET II POWER MOSFET |
|
| STB80NF04T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,80A I(D),TO-263AB |
|
| STB80NF06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.0065OHM - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET II POWER MOSFET |
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| STB80NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.0065з - 80A TO-220/D2PAK/TO |
|
| STB80NF10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT |
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| STB80NF10_09 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 100 V, 0.012 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK |
|
| STB80NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT |
|
| STB80NF10-T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
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