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STB76NF80 PDF预览

STB76NF80

更新时间： 2024-11-16 20:10:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 657K
描述
80A, 80V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3

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STB76NF80 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：8.39雪崩能效等级（Eas）：700 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.011 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB76NF80 数据手册

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STB76NF80  
N-channel 80 V, 0.0095 Ω, 80 A D2PAK  
STripFET™ II Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
STB76NF80  
80 V  
< 0.011 Ω 80 A(1)  
1. Current limited by package  
3
1
■ Exceptional dv/dt capability  
■ 100% avalanche tested  
D²PAK  
Application  
■ Switching applications  
– Automotive  
Description  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique “single feature size”  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a  
$ ꢄ4!" OR ꢅꢆ  
remarkable manufacturing reproducibility.  
'ꢄꢁꢆ  
3ꢄꢇꢆ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢂVꢁ  
Table 1.  
Order codes  
STB76NF80  
Device summary  
Marking  
Package  
D²PAK  
Packaging  
B76NF80  
Tape and reel  
March 2010  
Doc ID 17290 Rev 1  
1/13  
www.st.com  
13  
1234567...13

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STB76NF80 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB76NF75 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N沟道75 V、0.0095 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率M
STB80NF10T4 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与STB76NF80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB772 AUK

获取价格

 		PNP Silicon Transistor
STB7720 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		2400MHz - 2500MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER, 3 X 3 MM, LEAD FREE, LEADL
STB7720L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,BIPOLAR,LLCC,16PIN,PLASTIC
STB7ANM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、5 A、0.84 Ohm典型值MDmesh(TM) II功率MOSFET
STB7N52K3 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 525 V, 0.84 Ω, 6.3 A, D2PAK, DPAK,
STB7N52K3_09 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 525 V, 0.84 OHM, 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET
STB7NA40 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB7NA40-1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-262VAR
STB7NA40T4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-263AB
STB7NB40 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

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