5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > STB76NF80
STB76NF80 PDF预览

STB76NF80

更新时间： 2024-10-01 20:10:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 657K
描述
80A, 80V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

STB76NF80 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：8.39雪崩能效等级（Eas）：700 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.011 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB76NF80 数据手册

 浏览型号STB76NF80的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STB76NF80的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STB76NF80的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STB76NF80的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STB76NF80的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STB76NF80的Datasheet PDF文件第7页 
STB76NF80  
N-channel 80 V, 0.0095 Ω, 80 A D2PAK  
STripFET™ II Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
STB76NF80  
80 V  
< 0.011 Ω 80 A(1)  
1. Current limited by package  
3
1
■ Exceptional dv/dt capability  
■ 100% avalanche tested  
D²PAK  
Application  
■ Switching applications  
– Automotive  
Description  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique “single feature size”  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a  
$ ꢄ4!" OR ꢅꢆ  
remarkable manufacturing reproducibility.  
'ꢄꢁꢆ  
3ꢄꢇꢆ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢂVꢁ  
Table 1.  
Order codes  
STB76NF80  
Device summary  
Marking  
Package  
D²PAK  
Packaging  
B76NF80  
Tape and reel  
March 2010  
Doc ID 17290 Rev 1  
1/13  
www.st.com  
13  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

STB76NF80 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB76NF75 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N沟道75 V、0.0095 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率M
STB80NF10T4 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与STB76NF80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB772 AUK

获取价格

 		PNP Silicon Transistor
STB7720 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		2400MHz - 2500MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER, 3 X 3 MM, LEAD FREE, LEADL
STB7720L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,BIPOLAR,LLCC,16PIN,PLASTIC
STB7ANM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、5 A、0.84 Ohm典型值MDmesh(TM) II功率MOSFET
STB7N52K3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 525 V, 0.84 Ω, 6.3 A, D2PAK, DPAK,
STB7N52K3_09 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 525 V, 0.84 OHM, 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET
STB7NA40 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB7NA40-1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-262VAR
STB7NA40T4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-263AB
STB7NB40 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

与STB76NF80相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证