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STB7N52K3 PDF预览

STB7N52K3

更新时间： 2024-02-13 07:53:04
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
15页 380K
描述
N-channel 525 V, 0.84 Ω, 6.3 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3™ Power MOSFET

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STB7N52K3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.77
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：525 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A最大漏极电流 (ID)：6.3 A
最大漏源导通电阻：0.98 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB7N52K3 数据手册

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STB7N52K3 - STD7N52K3  
STF7N52K3 - STP7N52K3  
N-channel 525 V, 0.84 Ω, 6.3 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220  
SuperMESH3™ Power MOSFET  
Preliminary Data  
Features  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
Pw  
3
3
1
1
STB7N52K3  
STD7N52K3  
STF7N52K3  
STP7N52K3  
525 V < 0.98 Ω 6.3 A  
525 V < 0.98 Ω 6.3 A  
525 V < 0.98 Ω 6.3 A(1) 25 W  
90 W  
90 W  
DPAK  
D²PAK  
525 V < 0.98 Ω 6.3 A 90 W  
1. Limited by package  
3
3
2
1
■ 100% avalanche tested  
2
TO-2201  
TO-220FP  
■ Extremely high dv/dt capability  
■ Gate charge minimized  
■ Very low intrinsic capacitances  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
■ Improved diode reverse recovery  
characteristics  
■ Zener-protected  
Application  
■ Switching applications  
Description  
The new SuperMESH3™ series is obtained  
through the combination of a further fine tuning of  
ST's well established strip-based PowerMESH™  
layout with a new optimization of the vertical  
structure. In addition to reducing on-resistance  
significantly versus previous generation, special  
attention has been taken to ensure a very good  
dv/dt capability and higher margin in breakdown  
voltage for the most demanding application.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D²PAK  
Packaging  
STB7N52K3  
STD7N52K3  
STF7N52K3  
STP7N52K3  
7N52K3  
7N52K3  
7N52K3  
7N52K3  
Tape and reel  
Tape and reel  
Tube  
DPAK  
TO-220FP  
TO-220  
Tube  
July 2008  
Rev 1  
1/15  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
15  
1234567...15

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STB7N52K3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD7N52K3 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 525 V, 0.84 OHM, 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET
NTE2935 NTE

功能相似

 MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

与STB7N52K3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB7N52K3_09 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 525 V, 0.84 OHM, 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET
STB7NA40 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB7NA40-1 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-262VAR
STB7NA40T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-263AB
STB7NB40 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STB7NB40T4 STMICROELECTRONICS

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 		7A, 400V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
STB7NB60 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 600V - 1.0 OMH - 7.2A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET
STB7NB60-1 STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | TO-262AA
STB7NB60T4 STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | TO-252AA
STB7NC70Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 1.1ohm - 6A TO-220/FP/D2PAK/

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