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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 321K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 24V - 0.0062W -75A - D2PAK STripFET⑩ III POWER MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 24 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB75NH02L_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-Channel 24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET |
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| STB75NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-Channel 24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET |
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| STB76NF75 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道75 V、0.0095 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率M |
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| STB76NF80 | STMICROELECTRONICS |
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80A, 80V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK- |
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| STB772 | AUK |
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PNP Silicon Transistor |
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| STB7720 | STMICROELECTRONICS |
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2400MHz - 2500MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER, 3 X 3 MM, LEAD FREE, LEADL |
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| STB7720L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,BIPOLAR,LLCC,16PIN,PLASTIC |
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| STB7ANM60N | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、5 A、0.84 Ohm典型值MDmesh(TM) II功率MOSFET |
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| STB7N52K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 525 V, 0.84 Ω, 6.3 A, D2PAK, DPAK, |
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| STB7N52K3_09 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 525 V, 0.84 OHM, 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET |
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