STB1132

更新时间： 2024-11-26 09:01:31

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可天士 - KODENSHI		晶体小信号双极晶体管
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4页	327K
描述
PNP Silicon Transistor

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STB1132 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
Base Number Matches：	1

STB1132 数据手册

STB1132

PNP Silicon Transistor

Description

• Medium power amplifier

Features

• P_C(Collector power dissipation)

=1W(Ceramic substate of 250 ㎟×0.8t used)

• Low collector saturation voltage : V_CE(sat)=-0.2V(Typ.)

• Complementary pair with STD1664

SOT-89

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

YWW

STB1132

SOT-89

HW1: DEVICE CODE, YWW(Y : Year code, WW : Weekly code)

Absolute maximum ratings

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

-40

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

-32

-5

-1

P_C

0.5

Collector power dissipation

P_C

Junction temperature

T_J

150

-55~150

°C

Storage temperature

T_stg

* : When mounted on ceramic substrate(250 ㎟×0.8t)

Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Characteristic

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

Emitter-Base breakdown voltage

Collector cut-off current

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

-40

-32

-5

I_C=-50 ㎂, I_E=0

I_C=-1 ㎃, I_B=0

I_E=-50 ㎂, I_C=0

V_CB=-20V, I_E=0

V_CE=-30V, I_C=0

V_EB=-4V, I_C=0

-0.1

㎂

Collector cut-off current

I_CES

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

V_CE=-3V, I_C=-0.1A

100

320

-0.8

h_FE

Collector-Emitter saturation voltage

V_CE(sat)

-0.2

I_C=-500 ㎃, I_B=-50 ㎃

V_CE=-5V, I_C=-50 ㎃,

f=30 ㎒

Transition frequency

f_T

150

㎒

㎊

Collector output capacitance

C_ob

V_CB=-10V, I_E=0, f=1 ㎒

* : h_FErank / O : 100 ~ 200, Y : 160 ~ 320

KSD-T5B021-001

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