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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
14页 | 685K | |
描述 | ||
N-CHANNEL 600V-0.65ohm-10A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | D2PAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.74 |
雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A |
最大漏极电流 (ID): | 10 A | 最大漏源导通电阻: | 0.75 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 245 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 115 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 36 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
10N60G-TA3-T | UTC |
功能相似 |
10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
KF10N60P | KEC |
功能相似 |
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
2SK3399 | TOSHIBA |
功能相似 |
SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB10NK60Z_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.65Ω - 10A - I2/D2PAK - TO- | |
STB10NK60Z_08 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.65 Ω, 10 A, SuperMESH™ Pow | |
STB10NK60Z-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V-0.65ohm-10A TO-220/FP/D2PAK/I2 | |
STB10NK60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH T | |
STB1106 | SUPERWORLD |
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SHIELDED SMD POWER INDUCTORS | |
STB1106100MZF | SUPERWORLD |
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SHIELDED SMD POWER INDUCTORS | |
STB1106101MZF | SUPERWORLD |
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SHIELDED SMD POWER INDUCTORS | |
STB1106150MZF | SUPERWORLD |
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SHIELDED SMD POWER INDUCTORS | |
STB11061R2MZF | SUPERWORLD |
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SHIELDED SMD POWER INDUCTORS | |
STB1106200MZF | SUPERWORLD |
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SHIELDED SMD POWER INDUCTORS |