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KF10N60P

更新时间： 2024-02-27 09:23:40
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KEC /
页数 文件大小 规格书
7页 80K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KF10N60P 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

KF10N60P 数据手册

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KF10N60P/F  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
General Description  
KF10N60P  
A
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast  
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent  
avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor  
correction and switching mode power supplies.  
O
C
F
E
I
DIM MILLIMETERS  
G
Q
_
9.9 + 0.2  
A
B
C
D
E
F
B
15.95 MAX  
1.3+0.1/-0.05  
_
0.8 + 0.1  
FEATURES  
_
3.6 0.2  
+
VDSS=600V, ID=10A  
Drain-Source ON Resistance :  
K
_
2.8 + 0.1  
P
3.7  
0.5+0.1/-0.05  
1.5  
G
H
I
M
N
L
RDS(ON)(Max)=0.69  
Qg(typ.)= 29.5nC  
@VGS=10V  
J
D
_
13.08 + 0.3  
J
1.46  
H
K
L
M
N
O
P
N
_
1.4 0.1  
+
MAXIMUM RATING (Tc=25  
)
_
1.27 0.1  
+
_
2.54 0.2  
+
RATING  
_
4.5 0.2  
+
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
UNIT  
_
2.4 0.2  
+
_
9.2 +0.2  
1
2
3
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
KF10N60P  
KF10N60F  
Q
VDSS  
VGSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
@TC=25  
600  
30  
V
V
TO-220AB  
10  
6
10*  
6*  
ID  
Drain Current  
A
@TC=100  
KF10N60F  
IDP  
Pulsed (Note1)  
25  
25*  
C
A
Single Pulsed Avalanche Energy  
(Note 2)  
EAS  
400  
16.5  
4.5  
mJ  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
(Note 1)  
EAR  
DIM MILLIMETERS  
E
_
10.16 0.2  
+
A
B
C
D
E
Peak Diode Recovery dv/dt  
(Note 3)  
_
15.87 0.2  
dv/dt  
V/ns  
+
_
2.54 0.2  
+
_
0.8 0.1  
+
190  
50  
W
Tc=25  
Drain Power  
Dissipation  
_
+
PD  
3.18  
0.1  
_
3.3 0.1  
+
1.52  
0.4  
F
Derate above 25  
W/  
_
12.57 0.2  
+
G
H
J
L
M
Tj  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
_
0.5 0.1  
+
R
_
13.0 0.5  
+
Tstg  
-55 150  
_
K
L
3.23 0.1  
+
D
1.47 MAX  
1.47 MAX  
Thermal Characteristics  
M
N
O
Q
R
N
N
H
_
2.54 0.2  
+
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
0.65  
62.5  
2.5  
/W  
/W  
_
6.68 0.2  
+
_
Thermal Resistance,  
Junction-to-Ambient  
4.7  
+
_
0.2  
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
62.5  
2.76 0.2  
+
1
2
3
* : Drain current limited by maximum junction temperature.  
PIN CONNECTION  
TO-220IS (1)  
(KF10N60P, KF10N60F)  
D
G
S
2008. 11. 12  
Revision No : 0  
1/7  
1234567

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KF10N60P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMP11N60E FUJI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KF10N60P/F KEC

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