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KF10N68F

更新时间： 2024-02-29 23:36:00
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KEC 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 388K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KF10N68F 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：440 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：680 V
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.71 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KF10N68F 数据手册

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KF10N68F  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
General Description  
C
A
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast  
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent  
avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor  
correction and switching mode power supplies.  
DIM MILLIMETERS  
E
_
10.16 0.2  
+
A
B
C
D
E
_
15.87 0.2  
+
_
2.54 0.2  
+
_
0.8 0.1  
+
FEATURES  
_
+
3.18  
0.1  
· VDSS=680V, ID=10A  
· Drain-Source ON Resistance :  
RDS(ON)(Max)=0.95Ω @VGS=10V  
· Qg(typ.)= 24nC  
_
3.3 0.1  
+
_
12.57 0.2  
+
F
G
H
J
L
M
N
_
0.5 0.1  
+
R
_
13.0 0.5  
+
_
K
L
3.23 0.1  
+
D
1.47 MAX  
1.47 MAX  
M
N
O
Q
R
N
H
_
2.54 0.2  
+
MAXIMUM RATING (Tc=25℃)  
_
6.68 0.2  
+
_
4.7  
+
_
0.2  
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
2.76 0.2  
+
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
1
2
3
VDSS  
VGSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
@TC=25℃  
680  
±30  
10*  
6*  
V
V
*Single Gauge Lead Frame  
TO-220IS (1)  
ID  
Drain Current  
@TC=100℃  
A
IDP  
Pulsed (Note1)  
25*  
Single Pulsed Avalanche Energy  
(Note 2)  
EAS  
360  
16.5  
4.5  
mJ  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
(Note 1)  
EAR  
Peak Diode Recovery dv/dt  
(Note 3)  
dv/dt  
V/ns  
46  
0.37  
W
W/℃  
℃
Tc=25℃  
Drain Power  
Dissipation  
PD  
Derate above 25℃  
Tj  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
Tstg  
-55∼ 150  
℃
Thermal Characteristics  
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.7  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance,  
Junction-to-Ambient  
62.5  
* : Drain current limited by maximum junction temperature.  
PIN CONNECTION  
D
G
S
2014. 10. 31  
Revision No : 2  
1/6  
123456

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