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STAP85025 PDF预览

STAP85025

更新时间： 2024-10-28 21:09:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 146K
描述
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, STAP1-2

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STAP85025 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
其他特性：ESD PROTECTION外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：165 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：79 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STAP85025 数据手册

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STAP85025  
RF power transistor, LdmoST plastic family  
N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs  
Target specification  
Features  
■ Excellent thermal stability  
■ Common source configuration  
■ P = 25 W with 15.7 dB gain @ 870 MHz /  
OUT  
13.6 V  
■ Plastic package  
■ ESD protection  
■ In compliance with the 2002/95/EC European  
directive  
Description  
STAP1  
The STAP85025 is a common source N-channel,  
enhancement-mode lateral field-effect RF power  
transistor. It is designed for high gain, broadband  
commercial and industrial applications. It  
operates at 13.6 V in common source mode at  
frequencies of up to 1 GHz. STAP85025 boasts  
the excellent gain, linearity and reliability of ST’s  
latest LDMOS technology mounted in STAP ST  
advanced PowerSO-10RF package.  
AM02217  
Figure 1.  
Pin connection  
Drain  
STAP85025’s superior linearity performance  
makes it an ideal solution for car mobile radio.  
Gate  
The STAP ST plastic package was designed to  
offer high reliability and high power capability.  
It has been specially optimized for RF needs and  
offers excellent RF performances and ease of  
assembly.  
Source  
Mounting recommendations are available in  
www.st.com/rf/ (look for application note AN1294)  
Table 1.  
Device summary  
Order code  
Package  
Packaging  
Tube  
STAP85025  
STAP1  
July 2009  
Doc ID 15795 Rev 2  
1/12  
This is preliminary information on a new product foreseen to be developed. Details are subject to change without notice.  
www.st.com  
12  
1234567...12

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与STAP85025相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STAP85035 STMICROELECTRONICS

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 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, STAP1-2
STAP85050 STMICROELECTRONICS

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 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, STAP2-4
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