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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> START499ETR
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START499ETR

更新时间： 2024-10-28 13:14:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管功效放大器
页数 文件大小 规格书
7页 73K
描述
NPN Silicon RF Transistor

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START499ETR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：ROHS COMPLIANT, ULTRA MINIATURE, SC-70, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
外壳连接：EMITTER最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：4.5 V配置：SINGLE
最高频带：C BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：42000 MHzBase Number Matches：1

START499ETR 数据手册

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START499  
NPN Silicon RF Transistor  
• HIGH EFFICIENCY  
• HIGH GAIN  
• LINEAR AND NON LINEAR OPERATION  
• TRANSITION FREQUENCY 42GHz  
• ULTRA MINIATURE SOT343 (SC70) PACKAGE  
SOT343 (SC70)  
ORDER CODE  
BRANDING  
START499TR  
499  
DESCRIPTION  
START499 is a product of the START family that  
provide the market with a Si state-of-art RF process.  
Manufactured in St 3rd generation bipolar process, it  
offers the highest power, gain and efficiency in  
SOT343 for given breakdown voltage (BVceo).  
Suitable for a wide range of applications up to 5GHz,  
it shows a performance level achieved before with  
GaAs products only.  
APPLICATIONS  
• PA FOR DECT OR PHS  
• PA STAGE FOR WIRELESS LAN AND  
BLUETOOTH @ 2.5GHz  
• UHF-VHF PRE POWER AMPLIFIER  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
4.5  
Unit  
V
Collector emitter voltage  
Collector base voltage  
Emitter base voltage  
Collector current  
V
V
ceo  
V
15  
cbo  
V
ebo  
1.5  
V
I
600  
32  
mA  
mA  
mW  
c
I
Base current  
b
o
P
600  
-65 to 150  
150  
tot  
Total dissipation at T = 60 C  
S
o
T
stg  
Storage temperature  
C
o
T
Max. operating junction temperature  
j
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
o
R
thjs  
Thermal Resistance Junction soldering point  
150  
C/W  
July, 3 2002  
1/7  
1234567

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