START499D

更新时间： 2024-10-28 09:01:31

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
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描述
NPN RF silicon transistor

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START499D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

START499D 数据手册

START499D

NPN RF silicon transistor

Features

■ High efficiency

■ Common emitter configuration

■ Broadband performances P

= 29 dBm with

OUT

14 dB gain @ 900 MHz

■ Plastic package

SOT-89

Pin connection

Emitter

■ Linear and non linear operation

■ Supplied in tape and reel

■ In compliance with the 2002/95/EC european

Figure 1.

directive

Description

The START499D provide the market with a Si

state-of-art RF process. Manufactured with ST 3

generation bipolar process, it offers the highest

power, gain and efficiency in SOT-89 for given

breakdown voltage (BVCEo). START499D is

suitable for a wide range of application up to 1

GHz.

Emitter

Base

Collector

Table 1.

Order code

START499D

Device summary

Marking

Package

SOT-89

Packaging

Tape and reel

D499

June 2010

Doc ID 14496 Rev 4

1/18

www.st.com

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