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SSM6E02TU

更新时间： 2024-09-25 21:20:43

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	239K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, UF6, 2-2T1D, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SSM6E02TU 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	LEAD FREE, 2-2T1D, UF6, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	配置：	COMPLEX
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM6E02TU 数据手册

SSM6E02TU

TOSHIBA Multi-Chip Device

Silicon P-Channel MOS Type + N-Channel MOS Type

SSM6E02TU

○Power Management Switch Applications

Unit: mm

•

1.5 V drive

2.1±0.1

1.7±0.1

•

P-channel MOSFET and N-channel MOSFET incorporated into one

package.

•

Low power dissipation due to P-channel MOSFET that features low

and low-voltage operation

DS (ON)

Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-Source voltage

Symbol

Rating

Unit

−20

± 8

Gate-Source voltage

GSS

-1.8

-3.6

Drain current

Pulse

(Note 1)

1.Nch source

2.Pch drain

3.Pch drain

4.Pch source

5.Nch gate

6.Pch gate

Nch drain

Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

UF6

Characteristics

Drain-Source voltage

Symbol

Rating

Unit

JEDEC

―

± 10

0.1

JEITA

Gate-Source voltage

GSS

TOSHIBA

2-2T1D

Weight: 7.0 mg (typ.)

Drain current

Pulse

(Note 1)

0.2

Absolute Maximum Ratings (Q1, Q2 common) (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

(Note 2)

Rating

Unit

Drain power dissipation

Channel temperature

0.5

150

°C

Storage temperature range

stg

−55 to 150

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Pulse width limited by maximum channel temperature.

Note 2: Mounted on an FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu pad: 645 mm²)

2009-10-07

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSM6E03TU(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,1.8A I(D),SOT-363VAR
SSM6G18NU	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-2Y1A, UDFN-6, FET General
SSM6G18NU(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),LLCC
SSM6H19NU	TOSHIBA	获取价格	40 V/2 A N-ch MOS + SBD, SOT-1118(UDFN6)
SSM6J06FU	TOSHIBA	获取价格	Power Management Switch High Speed Switching Applications
SSM6J06FU(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,650MA I(D),SOT-323VAR
SSM6J06FU_07	TOSHIBA	获取价格	Power Management Switch
SSM6J07FU	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type
SSM6J07FU(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	SSM6J07FU(TE85L)
SSM6J07FU(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	SSM6J07FU(TE85L,F)

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