生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.61 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SSM6H19NU | TOSHIBA |
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40 V/2 A N-ch MOS + SBD, SOT-1118(UDFN6) | |
SSM6J06FU | TOSHIBA |
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Power Management Switch High Speed Switching Applications | |
SSM6J06FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,650MA I(D),SOT-323VAR | |
SSM6J06FU_07 | TOSHIBA |
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Power Management Switch | |
SSM6J07FU | TOSHIBA |
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TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type | |
SSM6J07FU(TE85L) | TOSHIBA |
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SSM6J07FU(TE85L) | |
SSM6J07FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
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SSM6J07FU(TE85L,F) | |
SSM6J07FU_07 | TOSHIBA |
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Power Management Switch | |
SSM6J08FU | TOSHIBA |
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) | |
SSM6J08FU_07 | TOSHIBA |
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Power Management Switch |