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| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM6E01TU_07 | TOSHIBA |
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Load Switch Applications |
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| SSM6E02TU | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, UF6, 2-2T1D |
|
| SSM6E03TU(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,1.8A I(D),SOT-363VAR |
|
| SSM6G18NU | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-2Y1A, UDFN-6, FET General |
|
| SSM6G18NU(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),LLCC |
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| SSM6H19NU | TOSHIBA |
获取价格 |
40 V/2 A N-ch MOS + SBD, SOT-1118(UDFN6) |
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| SSM6J06FU | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Management Switch High Speed Switching Applications |
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| SSM6J06FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,650MA I(D),SOT-323VAR |
|
| SSM6J06FU_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Management Switch |
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| SSM6J07FU | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type |
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