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SSM3J334R

更新时间： 2024-11-21 14:56:51

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东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
6页	465K
描述
P-ch MOSFET, -30 V, -4.0 A, 0.071 Ω@10V, SOT-23F

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SSM3J334R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.071 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM3J334R 数据手册

SSM3J334R

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

SSM3J334R

○Power Management Switch Applications

Unit: mm

•

Low ON-resistance: R

= 71 mΩ (max) (@V = -10 V)

DS(ON)

= 105 mΩ (max) (@V

= 136 mΩ (max) (@V

= -4.5 V)

= -4.0 V)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Drain-Source voltage

Symbol

Rating

Unit

-30

DSS

Gate-Source voltage

± 20

GSS

(Note 1)

-4

Drain current

Pulse

(Note 1,2)

-16

(Note 3)

t < 10s

Power dissipation

Channel temperature

150

°C

Storage temperature range

−55 to 150

stg

1: Gate

SOT-23F

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

absolute maximum ratings.

2: Source

3: Drain

JEDEC

JEITA

―

Please design the appropriate reliability upon reviewing the

Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling

Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual

reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,

etc).

TOSHIBA

2-3Z1S

Weight: 11 mg (typ.)

Note 1: The channel temperature should not exceed 150°C during use.

Note 2: PW ≤ 1ms, Duty ≤ 1％

Note 3: Mounted on a FR4 board.

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm²)

Marking

Equivalent Circuit (Top View)

KFL

Start of commercial production

2010-08

2018-10-04

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

12 3 4 5 6

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与SSM3J334R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSM3J338R	TOSHIBA	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
SSM3J338R,LF	TOSHIBA	获取价格	MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
SSM3J340R	TOSHIBA	获取价格	P-ch MOSFET, -30 V, -4.0 A, 0.045 Ω@10V, SOT-
SSM3J351R	TOSHIBA	获取价格	P-ch MOSFET, -60 V, -3.5 A, 0.134 Ω@10V, SOT-
SSM3J352F	TOSHIBA	获取价格	P-ch MOSFET, -20 V, -2.0 A, 0.11 Ω@10V, SOT-3
SSM3J353F	TOSHIBA	获取价格	P-ch MOSFET, -30 V, -2.0 A, 0.15 Ω@10V, SOT-3
SSM3J355R	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
SSM3J356R	TOSHIBA	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
SSM3J356R,LXGF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
SSM3J358R	TOSHIBA	获取价格	P-ch MOSFET, -20 V, -6.0 A, 0.0253 Ω@4.5V, SO

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