5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SS8550BBU
SS8550BBU PDF预览

SS8550BBU

更新时间： 2024-11-19 11:12:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 162K
描述
PNP外延硅晶体管

阅读下载

中文翻译

获取价格

SS8550BBU 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.72
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：85JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

SS8550BBU 数据手册

 浏览型号SS8550BBU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SS8550BBU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SS8550BBU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SS8550BBU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SS8550BBU的Datasheet PDF文件第6页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
PNP Epitaxial Silicon  
Transistor  
TO−92−3  
CASE 135AN  
SS8550  
1
2
3
Features  
• 2 W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push−Pull  
Operation  
• Complementary to SS8050  
TO−92−3  
CASE 135AR  
• Collector Current: I = 1.5 A  
C
1
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
2
3
Compliant  
1. Emitter  
2. Base  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
3. Collector  
Parameter  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
−40  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
MARKING DIAGRAM  
−25  
V
−6  
V
AS8  
550x  
YWW  
I
C
−1.5  
A
Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
J
150  
°C  
°C  
T
STG  
−65 to 150  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
S8550x  
= Specific Device Code  
Line 1: A = Assembly Location  
Line 2: x = C or D  
THERMAL CHARACTERISTICS (Note 1)  
Line 3: Y = Year  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
A
WW= Work Week  
Parameter  
Power Dissipation  
Symbol  
Value  
1
Unit  
W
P
D
D
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
Power Dissipation Derate Above 25°C  
P
8
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
125  
q
JA  
1. PCB size: FR−4, 76 mm x 114 mm x 1.57 mm (3.0 inch x 4.5 inch x 0.062 inch)  
with minimum land pattern size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
August, 2021 − Rev. 3  
SS8550/D  
 
123456

中文翻译

下载PDF

与SS8550BBU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS8550BJ05Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
SS8550BJ18Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
SS8550-BP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
SS8550BTA FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
SS8550BTA ONSEMI

获取价格

 		PNP外延硅晶体管
SS8550C FAIRCHILD

获取价格

 		2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.
SS8550-C MCC

获取价格

 		PNP Silicon Transistors
SS8550-C-AP-HF MCC

获取价格

 		暂无描述
SS8550-C-BP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
SS8550CBU FAIRCHILD

获取价格

 		FAIRCHILD Small Signal Transistors

与SS8550BBU相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证