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SS8550-C-BP-HF

更新时间： 2024-11-18 21:03:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 226K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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SS8550-C-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.63
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：260
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

SS8550-C-BP-HF 数据手册

 浏览型号SS8550-C-BP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
SS8550-C  
SS8550-D  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors  
Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
Collector-current 1.5A  
PNP Silicon  
Transistors  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Marking : SS8550  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
•
TO-92  
A
E
·
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
B
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
40  
25  
6.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
(I =100uAdc, IC=0)  
E
C
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
(VCB=40Vdc, I =0)  
E
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCE=20Vdc, I =0)  
B
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
D
hFE(1)  
DC Current Gain  
85  
40  
---  
---  
---  
400  
---  
---  
---  
(I =100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
hFE(2)  
DC Current Gain  
(I =800mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
E
E
B
C
B
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VEB  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =800mAdc, I =80mAdc)  
0.8  
1.2  
1.8  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
C
C
B
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =800mAdc, I =80mAdc)  
G
C
B
Base- Emitter Voltage  
DIMENSIONS  
(I =1.5Adc)  
E
INCHES  
MM  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
fT  
Transistor Frequency  
190  
---  
MHz  
(I =50mAdc, VCE=10Vdc, f=30MHz)  
C
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
E
Rank  
C
D
Straight Lead  
Bent Lead  
G
Range  
120-200  
160-300  
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: D  
2013/01/01  
12

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与SS8550-C-BP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS8550CBU FAIRCHILD

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 		FAIRCHILD Small Signal Transistors
SS8550CBU ONSEMI

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 		PNP外延硅晶体管
SS8550CCHBU FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
SS8550C-G WEITRON

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 		暂无描述
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
SS8550CTA FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/A
SS8550CTA ONSEMI

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SS8550CTA_NL FAIRCHILD

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 		Plastic-Encapsulate Transistors PNP Silicon

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