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Datasheet > 暂无类别数据> SS8550-C
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SS8550-C

更新时间： 2024-11-18 09:05:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 211K
描述
PNP Silicon Transistors

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SS8550-C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：190 MHzBase Number Matches：1

SS8550-C 数据手册

 浏览型号SS8550-C的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
SS8550-C  
SS8550-D  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors  
Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
Collector-current 1.5A  
PNP Silicon  
Transistors  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Marking : SS8550  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
•
TO-92  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
A
E
C
B
Electrical Characteristics @ 25OC Unless EOtherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
40  
25  
6.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
C
(I =100uAdc, IC=0)  
E
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
(VCB=40Vdc, I =0)  
E
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCE=20Vdc, I =0)  
B
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
DC Current Gain  
85  
40  
---  
---  
---  
400  
---  
---  
---  
(I =100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
hFE(2)  
DC Current Gain  
(I =800mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VEB  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =800mAdc, I =80mAdc)  
0.8  
1.2  
1.8  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
C
B
G
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =800mAdc, I =80mAdc)  
C
B
DIMENSIONS  
Base- Emitter Voltage  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
MM  
MIN  
(I =1.5Adc)  
E
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Transistor Frequency  
(I =50mAdc, VCE=10Vdc, f=30MHz)  
C
190  
---  
MHz  
E
G
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
C
D
Range  
120-200  
160-300  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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