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Datasheet > SS8550-D-AP
SS8550-D-AP PDF预览

SS8550-D-AP

更新时间： 2024-11-18 21:03:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 226K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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SS8550-D-AP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.63最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：190 MHzBase Number Matches：1

SS8550-D-AP 数据手册

 浏览型号SS8550-D-AP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
SS8550-C  
SS8550-D  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors  
Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
Collector-current 1.5A  
PNP Silicon  
Transistors  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Marking : SS8550  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
•
TO-92  
A
E
·
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
B
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
40  
25  
6.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
(I =100uAdc, IC=0)  
E
C
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
(VCB=40Vdc, I =0)  
E
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCE=20Vdc, I =0)  
B
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
D
hFE(1)  
DC Current Gain  
85  
40  
---  
---  
---  
400  
---  
---  
---  
(I =100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
hFE(2)  
DC Current Gain  
(I =800mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
E
E
B
C
B
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VEB  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =800mAdc, I =80mAdc)  
0.8  
1.2  
1.8  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
C
C
B
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =800mAdc, I =80mAdc)  
G
C
B
Base- Emitter Voltage  
DIMENSIONS  
(I =1.5Adc)  
E
INCHES  
MM  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
fT  
Transistor Frequency  
190  
---  
MHz  
(I =50mAdc, VCE=10Vdc, f=30MHz)  
C
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
E
Rank  
C
D
Straight Lead  
Bent Lead  
G
Range  
120-200  
160-300  
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: D  
2013/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS8550-D-AP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
SS8550D-BP MCC

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 		1500mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
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