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SS8550CJ18Z

更新时间： 2024-11-21 15:52:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 77K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN

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SS8550CJ18Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.63
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

SS8550CJ18Z 数据手册

 浏览型号SS8550CJ18Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SS8550CJ18Z的Datasheet PDF文件第3页 
SS8550  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE  
RADIOS IN CLASS  
TO-92  
B PUSH-PULL OPERATION.  
· Complimentary to SS8050  
· Collector Current: IC= -1.5A  
· Collector Dissipation: PC=2W (TC=25°C)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
-40  
-25  
-6  
V
V
V
VCEO  
VEBO  
IC  
-1.5  
A
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PC  
TJ  
TSTG  
1
150  
-65 ~ 150  
W
°C  
°C  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
IC= -100mA, IE=0  
IC= -2mA, IB=0  
IE= -100mA, IC=0  
VCB= -35V, IE=0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
-40  
-25  
-6  
V
V
V
nA  
nA  
-100  
-100  
VEB= -6V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
IEBO  
VCE= -1V, IC= -5mA  
VCE= -1V, IC= -100mA  
VCE= -1V, IC= -800mA  
IC= -800mA, IB= -80mA  
IC= -800mA, IB= -80mA  
VCE= -1V, IC= -10mA  
VCB= -10V, IE=0  
hFE1  
hFE2  
DC Current Gain  
170  
160  
80  
-0.28  
-0.98  
-0.66  
15  
45  
85  
40  
300  
hFE3  
-0.5  
-1.2  
-1.0  
V
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
VBE  
Output Capacitance  
COB  
pF  
f=1MHz  
VCE= -10V, IC= -50mA  
MHz  
100  
Current Gain-Bandwidth Product  
200  
fT  
hFE(2) CLASSIFICATION  
Classification  
B
C
D
hFE(2)  
85-160  
120-200  
160-300  
Rev. B  
ã 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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