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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SS8550CTA
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SS8550CTA

更新时间： 2024-11-21 13:01:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器便携式
页数 文件大小 规格书
4页 42K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/AMMO

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SS8550CTA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.4
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

SS8550CTA 数据手册

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SS8550  
2W Output Amplifier of Portable Radios in  
Class B Push-pull Operation.  
•
•
•
Complimentary to SS8050  
Collector Current: I =1.5A  
Collector Power Dissipation: P =2W (T =25°C)  
C
C
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-25  
V
CEO  
EBO  
-6  
V
I
-1.5  
A
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
1
W
C
T
T
150  
°C  
°C  
J
-65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-40  
-25  
-6  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -2mA, I =0  
C B  
I = -100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -35V, I =0  
-100  
-100  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
= -6V, I =0  
C
h
h
h
DC Current Gain  
V
V
V
= -1V, I = -5mA  
45  
85  
40  
170  
160  
80  
FE1  
FE2  
FE3  
CE  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -100mA  
300  
C
= -1V, I = -800mA  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter on Voltage  
I = -800mA, I = -80mA  
-0.28  
-0.98  
-0.66  
15  
-0.5  
-1.2  
-1.0  
V
V
CE  
BE  
BE  
C
B
I = -800mA, I = -80mA  
C
B
V
= -1V, I = -10mA  
V
CE  
C
C
Output Capacitance  
V
= -10V, I =0  
pF  
ob  
CB  
E
f=1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -10V, I = -50mA  
100  
200  
MHz  
T
CE  
C
h Classification  
FE  
Classification  
B
C
D
h
85 ~ 160  
120 ~ 200  
160 ~ 300  
FE2  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
SS8550-D-AP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,

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