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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPD08N50C3
SPD08N50C3 PDF预览

SPD08N50C3

更新时间： 2024-09-16 22:21:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
页数 文件大小 规格书
11页 257K
描述
Cool MOS⑩ Power Transistor

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SPD08N50C3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.14
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级（Eas）：230 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.6 A最大漏极电流 (ID)：7.6 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：22.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPD08N50C3 数据手册

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SPD08N50C3  
Final data  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
• New revolutionary high voltage technology  
V
@ T  
560  
0.6  
7.6  
V
Ω
A
DS  
jmax  
R
DS(on)  
I
D
• Worldwide best R in TO-252  
DS(on)  
P-TO252-3-1  
• Ultra low gate charge  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
• Ultra low effective capacitances  
• Improved transconductance  
Type  
SPD08N50C3  
Package  
P-TO252-3-1 Q67040-S4569  
Ordering Code  
Marking  
08N50C3  
Maximum Ratings, at T = 25°C, unless otherwise specified  
C
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T = 25 °C  
7.6  
4.6  
C
T = 100 °C  
C
22.8  
230  
Pulsed drain current, t limited by T  
Avalanche energy, single pulse  
I
D puls  
p
jmax  
mJ  
E
AS  
I =5.5A, V =50V  
D
DD  
1)  
E
0.5  
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
AR  
AR  
jmax  
I =7.6A, V =50V  
D
DD  
7.6  
A
V
Avalanche current, repetitive t limited by T  
Gate source voltage  
I
AR  
AR  
jmax  
V
V
P
±20  
±30  
83  
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
W
Power dissipation, T = 25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
T , T  
-55... +150  
j
stg  
Page 1  
2003-06-27  
1234567...11

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SPD08N50C3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD11NM50N STMICROELECTRONICS

功能相似

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