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SPD08N50C3BTMA1 PDF预览

SPD08N50C3BTMA1

更新时间： 2024-09-17 21:04:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网高压开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 692K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, DPAK-3

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SPD08N50C3BTMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.58
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE雪崩能效等级（Eas）：230 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：7.6 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：22.8 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPD08N50C3BTMA1 数据手册

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SPD08N50C3  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
• New revolutionary high voltage technology  
V
@ T  
560  
0.6  
7.6  
V
Ω
A
DS  
jmax  
R
DS(on)  
I
D
• Worldwide best R  
in TO-252  
DS(on)  
PG-TO252  
• Ultra low gate charge  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
• Ultra low effective capacitances  
• Improved transconductance  
; available in Halogen free mold compounda)  
Type  
SPD08N50C3  
Package  
PG-TO252  
Ordering Code  
Q67040-S4569  
Marking  
08N50C3  
Maximum Ratings, at T = 25°C, unless otherwise specified  
C
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T = 25 °C  
7.6  
4.6  
C
T = 100 °C  
C
22.8  
230  
Pulsed drain current, t limited by T  
Avalanche energy, single pulse  
I
D puls  
p
jmax  
mJ  
E
AS  
I =5.5A, V =50V  
D
DD  
1)  
E
0.5  
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
AR  
AR  
jmax  
I =7.6A, V =50V  
D
DD  
7.6  
±20  
30  
A
V
Avalanche current, repetitive t limited by T  
Gate source voltage  
I
AR  
AR  
jmax  
V
V
P
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
83  
W
Power dissipation, T = 25°C  
C
°C  
V/ns  
Operating and storage temperature  
Reverse diode dv/dt  
T , T  
dv/dt  
-55... +150  
j
stg  
6)  
15  
a) non-Halogen free (OPN: SPD08N50C3BT); Halogen free (OPN: SPD08N50C3AT)  
2.6  
2013-07-31  
Rev.
Page 1  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPD08P05 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
SPD08P06P INFINEON

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SPD08P06P G INFINEON

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SPD08P06P_08 INFINEON

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 		SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, SMS, 2 PIN

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