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SPD08P06PGBTMA1 PDF预览

SPD08P06PGBTMA1

更新时间： 2024-11-24 15:52:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 602K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, TO-252, 3 PIN

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SPD08P06PGBTMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：1.65
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：70 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：8.8 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：35.2 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPD08P06PGBTMA1 数据手册

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SPD08P06P G  
SIPMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
-60  
0.3  
V
Ω
A
• P-Channel  
R DS(on),max  
I D  
• Enhancement mode  
-8.8  
• Avalanche rated  
• dv /dt rated  
PG-TO252-3  
• 175°C operating temperature  
• Pb-free lead finishing; RoHS compliant  
° Qualified according to AEC Q101  
Type  
Package  
Tape and reel information  
Marking Lead free  
08P06P Yes  
Packing  
SPD08P06PG PG-TO252-3  
1000 pcs / reel  
Non dry  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
steady state  
I D  
T A=25 °C  
T A=100 °C  
T A=25 °C  
-8.83  
Continuous drain current  
A
-6.25  
I D,pulse  
E AS  
-35.32  
Pulsed drain current  
I D=8.83 A, R GS=25 Ω  
70  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
Avalanche energy, periodic limited by  
Tjmax  
E AR  
4.2  
I D=8.83 A, V DS=48 V,  
di /dt =-200 A/µs,  
-6  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
V GS  
±20  
42  
Gate source voltage  
V
P tot  
T A=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
"-55 ... +175"  
Operating and storage temperature  
ESD class  
260 °C  
Soldering temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
55/175/56  
Rev 1.92  
page 1  
2012-09-10  
1234567...9

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与SPD08P06PGBTMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPD0901 SSDI

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 		1 AMP 80-100 VOLTS SCHOTTKY RECTIFIER
SPD0901S SSDI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, AXIAL PACKAGE-2
SPD0901SMS SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon,
SPD0901SMSS SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, SMS, 2 PIN
SPD0901SMSTX SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, SMS, 2 PIN
SPD0901SMSTXV SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, SMS, 2 PIN
SPD0901TX SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, AXIAL PACKAGE-2
SPD0901TXV SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, AXIAL PACKAGE-2
SPD0902 SSDI

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 		2 AMP 80 - 100 VOLTS SCHOTTKY RECTIFIER
SPD0902S SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 90V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PA

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