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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPD09P06PLG
SPD09P06PLG PDF预览

SPD09P06PLG

更新时间： 2024-11-27 09:09:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 605K
描述
SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode

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SPD09P06PLG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252AB
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：70 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.7 A最大漏极电流 (ID)：9.7 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：38.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPD09P06PLG 数据手册

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SPD09P06PL G  
SIPMOS =Power-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
-60  
0.25  
-9.7  
V
DS  
• P-channel  
R
DS(on)  
• Enhancement mode  
I
A
D
• Logic Level  
• 175°C operating temperature  
PG-TO252-3  
• Avalanche rated  
• dv/dt rated  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Drain  
pin 2  
Gate  
pin1  
Type  
SPD09P06PL G  
Package  
PG-TO252-3 Yes  
Lead free  
Source  
pin 3  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
-9.7  
-6.8  
C
T =100°C  
C
-38.8  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
70  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =-9.7 A , V =-25V, R =25  
D
DD GS  
E
4.2  
6
Avalanche energy, periodic limited by T  
Reverse diode dv/dt  
AR  
jmax  
dv/dt  
kV/µs  
I =-9.7A, V =-48, di/dt=200A/µs, T  
DS jmax  
=175°C  
S
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
W
±20  
42  
GS  
P
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Rev 2.5  
Page 1  
2008-07-29  
1234567...9

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SPD09P06PLG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SJ315 TOSHIBA

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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SPD09P06PLGXT INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
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