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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 70 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 38.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPD09P06PLG | INFINEON |
功能相似  |
SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode |
|
| RFD8P06LE | INTERSIL |
功能相似 |
8A, 60V, 0.300 Ohm, ESD Rated, Logic Level, P-Channel Power MOSFET |
|
| SPD09P06PL | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPU0EM122E08O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
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| SPU0EM122E09O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
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| SPU0EM122F08O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
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| SPU0EM331E05O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
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| SPU0EM471E05O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
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| SPU0EM561D09O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
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| SPU0EM561E07O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
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| SPU0EM561E08O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
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| SPU0EM681E08O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
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| SPU0EM821E08O00RAXXX | AISHI |
获取价格 |
Polymer Radial |
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