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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPD08P06P
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SPD08P06P

更新时间： 2024-09-16 22:21:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 117K
描述
SIPMOS Power-Transistor

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SPD08P06P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-252, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.16Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：70 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.8 A
最大漏极电流 (ID)：8.83 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：35.32 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPD08P06P 数据手册

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SPD08P06P  
SPU08P06P  
Preliminary data  
SIPMOS Power-Transistor  
Features  
Product Summary  
P-Channel  
Drain source voltage  
V
-60  
0.3  
V
A
DS  
Enhancement mode  
Avalanche rated  
dv/dt rated  
Drain-source on-state resistance R  
DS(on)  
Continuous drain current  
I
-8.8  
D
175°C operating temperature  
Type  
Package  
Ordering Code  
Pin 1 PIN 2/4 PIN 3  
SPD08P06P  
SPU08P06P  
P-TO252  
Q67040-S4153  
G
D
S
P-TO251-3-1 Q67040-S4154  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Continuous drain current  
I
D
A
T = 25 °C  
-8.8  
-6.2  
C
T = 100 °C  
C
Pulsed drain current  
I
-35.2  
D puls  
T = 25 °C  
C
Avalanche energy, single pulse  
E
70  
mJ  
AS  
I = -8.8 A , V = -25 V, R = 25  
D
DD  
GS  
Avalanche energy, periodic limited by T  
E
4.2  
6
jmax  
AR  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I = -8.8 A, V = -48 , di/dt = 200 A/µs,  
S
DS  
T
= 175 °C  
jmax  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
±20  
42  
V
GS  
tot  
W
T = 25 °C  
C
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55...+175  
55/175/56  
°C  
j
stg  
Page 1  
1999-11-22  
1234567...9

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SPD08P06P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SPD08P06PG INFINEON

类似代替

 SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel
STD10PF06T4 STMICROELECTRONICS

功能相似

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与SPD08P06P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPD08P06P G INFINEON

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 		Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie
SPD08P06P_08 INFINEON

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 		SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel
SPD08P06PG INFINEON

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 		SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel
SPD08P06PGBTMA1 INFINEON

获取价格

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