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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 32 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 92 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 15 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 224 ns | 标称接通时间 (ton)： | 40 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SGP15N120 | INFINEON |
完全替代  |
Fast IGBT in NPT-technology |
|
| IRG4PC50UDPBF | INFINEON |
功能相似 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
|
| IGW60T120 | INFINEON |
功能相似 |
Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKP10N60A_08 | INFINEON |
获取价格 |
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode |
|
| SKP10N60AXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PL |
|
| SKP15N60 | INFINEON |
获取价格 |
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode |
|
| SKP15N60_08 | INFINEON |
获取价格 |
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode |
|
| SKP15N60XK | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PL |
|
| SKP202 | ALLEGRO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, TO-263AB, TO-263, 3 PIN |
|
| SKP202 | SANKEN |
获取价格 |
N-Channel MOS FET |
|
| SKP20N60HS | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMP |
|
| SKP220M1CD11 | CDE |
获取价格 |
CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 16V, 22uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD |
|
| SKP221M1VG13V | CDE |
获取价格 |
CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 35V, 220uF, THROUGH HOLE MOUNT, RA |
|
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