Datasheet > SKP20N60HS

SKP20N60HS

更新时间： 2024-09-19 21:15:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	422K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SKP20N60HS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	36 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	235 ns
标称接通时间 (ton)：	30 ns	Base Number Matches：	1

SKP20N60HS 数据手册

Preliminary

SKP20N60HS

SKW20N60HS

High Speed IGBT in NPT-technology

• 30% lower E_offcompared to previous generation

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for operation above 30 kHz

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- parallel switching capability

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P-TO-247-3-1

(TO-247AC)

- moderate E_offincrease with temperature

- very tight parameter distribution

•

High ruggedness, temperature stable behaviour

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

E_off

T_j

Package

TO220AB

TO-247AC

Ordering Code

Q67040-S4498

Q67040-S4499

SGP20N60HS

600V

240µJ

150°C

SGW20N60HS

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_{Cpul s}

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Avalanche energy single pulse

I_C= 20A, V_CC=50V, R_GE=25Ω

start T_J=25°C

E_AS

115

Gate-emitter voltage static

V_{G E}

±20

±30

transient (t_p<1µs, D<0.05)

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

t_SC

µs

P_{t ot}

178

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j,

-55...+150

°C

T_stg

Time limited operating junction temperature for t < 150h

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

T_j(tl)

175

260

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Preliminary / Rev.1 Jul-02

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与SKP20N60HS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKP220M1CD11	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 16V, 22uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD
SKP221M1VG13V	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 35V, 220uF, THROUGH HOLE MOUNT, RA
SKP253	SANKEN	获取价格	MOS FET
SKP253	ALLEGRO	获取价格	Power Field-Effect Transistor, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
SKP2R2M1HD11	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 50V, 2.2uF, THROUGH HOLE MOUNT, RA
SKP2R2M2CE11V	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 160V, 2.2uF, THROUGH HOLE MOUNT, R
SKP330M1AD11	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 10V, 33uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD
SKP330M1CD11	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 16V, 33uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD
SKP330M1ED11	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 25V, 33uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD
SKP330M1HE11V	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 50V, 33uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD

与SKP20N60HS相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

29
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

28
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

100
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

94

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SKP20N60HS

SKP20N60HS 技术参数

SKP20N60HS 数据手册

与SKP20N60HS相关器件

与SKP20N60HS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SKP20N60HS

SKP20N60HS 技术参数

SKP20N60HS 数据手册

与SKP20N60HS相关器件

与SKP20N60HS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？