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SKP10N60AXKSA1

更新时间： 2024-11-08 21:21:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	632K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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SKP10N60AXKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	224 ns
标称接通时间 (ton)：	40 ns	Base Number Matches：	1

SKP10N60AXKSA1 数据手册

SKP10N60A

SKW10N60A

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled

Diode

 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

 Short circuit withstand time – 10 s

 Designed for:

- Motor controls

- Inverter

 NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

PG-TO-247-3

PG-TO-220-3-1

 Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled

Diode

 Pb-free lead plating; RoHS compliant

 Qualified according to JEDEC¹for target applications

 Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

SKP10N60A

SKW10N60A

V_CE

I_C

V_CE(sat)

2.3V

T_j

Marking

Package

600V

10A

K10N60 PG-TO-220-3-1

K10N60 PG-TO-247-3

150C

2.3V

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25C

V_{C E}

I_C

600

10.6

T_C= 100C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

V_CE 600V, T_j 150C

Diode forward current

I_{Cp ul s}

I_F

T_C= 25C

T_C= 100C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

I_{Fp ul s}

V_{G E}

t_SC

Gate-emitter voltage

20

Short circuit withstand time²

V_GE= 15V, V_CC 600V, T_j 150C

Power dissipation

s

P_{t ot}

T_C= 25C

Operating junction and storage temperature

Soldering temperature

T_j, T_stg

-55...+150

260

C

T_s

°C

wavesoldering, 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s

¹J-STD-020 and JESD-022

²Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.4 12.06.2013

12 3 4 5 6 7...14

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