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SKP15N60XK

更新时间： 2024-09-19 13:13:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	451K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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SKP15N60XK 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	31 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	315 ns
标称接通时间 (ton)：	54 ns	Base Number Matches：	1

SKP15N60XK 数据手册

SKP15N60, SKB15N60

SKW15N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P-TO-263-3-2 (D²-PAK) P-TO-247-3-1

(TO-263AB)

(TO-247AC)

• Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Package

Ordering Code

SKP15N60

SKB15N60

SKW15N60

600V

15A

2.3V

TO-220AB

TO-263AB

TO-247AC

Q67040-S4251

Q67040-S4252

Q67040-S4243

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Diode forward current

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

I_{Fpul s}

V_{G E}

t_SC

±20

Gate-emitter voltage

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

µs

P_{t ot}

139

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

°C

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Jul-02

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKP202	ALLEGRO	获取价格	Power Field-Effect Transistor, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
SKP202	SANKEN	获取价格	N-Channel MOS FET
SKP20N60HS	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMP
SKP220M1CD11	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 16V, 22uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD
SKP221M1VG13V	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 35V, 220uF, THROUGH HOLE MOUNT, RA
SKP253	SANKEN	获取价格	MOS FET
SKP253	ALLEGRO	获取价格	Power Field-Effect Transistor, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
SKP2R2M1HD11	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 50V, 2.2uF, THROUGH HOLE MOUNT, RA
SKP2R2M2CE11V	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 160V, 2.2uF, THROUGH HOLE MOUNT, R
SKP330M1AD11	CDE	获取价格	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 10V, 33uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD

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