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SKM500GA174D

更新时间： 2024-09-12 22:07:27
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 396K
描述
SEMITRANS M Low Loss IGBT Modules

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SKM500GA174D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-204包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：600 A
集电极-发射极最大电压：1700 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X5
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3000 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1200 ns
标称接通时间 (ton)：450 nsVCEsat-Max：2.8 V
Base Number Matches：1

SKM500GA174D 数据手册

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SKM 500 GA 174 D  
SEMITRANS® M  
Low Loss IGBT Modules  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions 1)  
VCES  
Values  
Units  
V
V
A
A
1700  
1700  
600 / 440 5)  
1200 / 880  
± 20  
SKM 500 GA 174 D  
VCGR  
IC; ICN  
ICM  
RGE = 20 kΩ  
Tcase = 25/80 °C  
Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms  
VGES  
Ptot  
Tj, (Tstg  
Visol  
V
per IGBT, Tcase = 25 °C  
AC, 1 min. 4)  
3100  
–40 ... +150 (125)  
3400  
W
°C  
V
)
humidity IEC 60721-3-3  
climate IEC 68 T.1  
Inverse Diode 8)  
IF = –IC case = 25/80 °C  
IFM = –ICM Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms  
class 3K7/IE32  
40/125/56  
T
600 / 440  
1200 / 880  
4400  
A
A
A
A2s  
IFSM  
tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C  
tp = 10 ms; Tj = 150 °C  
I2t  
96800  
SEMITRANS 4  
Characteristics  
Symbol Conditions 1)  
min.  
typ.  
max.  
Units  
V(BR)CES VGE = 0, IC = 8 mA  
≥ VCES  
4,5  
–
–
5,5  
0,1  
16  
–
2,8(3,2)  
3,1(3,7)  
220  
–
6,5  
1
–
0,3  
3,3(3,6)  
V
V
mA  
mA  
µA  
V
VGE(th)  
ICES  
VGE = VCE, IC = 18 mA  
VGE = 0 Tj = 25 °C  
CE = VCES Tj = 125 °C  
GA  
V
–
–
–
–
IGES  
VGE = 20 V, VCE = 0  
Features  
VCEsat  
IC = 400 A VGE = 15 V;  
IC = 500 A Tj = 25 (125) °C  
VCE = 20 V, IC = 400 A  
• N channel, homogeneous Silicon  
structure (NPT- Non punch-  
through IGBT)  
–
–
V
S
gfs  
–
CCHC  
Cies  
Coes  
Cres  
LCE  
per IGBT  
–
–
–
–
–
–
1,4  
–
–
–
20  
nF  
nF  
nF  
nF  
nH  
• Low inductance case  
VGE = 0  
27  
3,8  
1,3  
–
• High short circuit capability,  
self limiting  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
• Fast & soft inverse CAL diodes 8)  
• Without hard mould  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
VCC = 1200 V  
VGE = –15 V / +15 V 3)  
IC = 400 A, ind. load  
RGon = RGoff = 3 Ω  
Tj = 125 °C (VCC = 900 V/1200 V)  
LS = 60 nH (VCC = 900 V/1200 V)  
–
–
–
–
–
–
350  
100  
1100  
100  
170/300  
135/210  
–
–
–
–
–
–
ns  
ns  
ns  
ns  
mWs  
mWs  
• Large clearance (13 mm) and  
creepage distances (20 mm)  
Typical Applications  
• AC inverter drives on mains  
575 - 750 VAC  
Inverse Diode 8)  
• DC bus voltage 750 - 1200 VDC  
• Public transport (auxiliary syst.)  
• Switching (not for linear use)  
VF = VEC IF = 400 A VGE = 0 V;  
VF = VEC IF = 500 A Tj = 25 (125) °C  
–
–
–
–
–
–
2,15(1,8) 2,4(2,2)  
V
V
V
mΩ  
A
µC  
2,3(2,0)  
1,3  
1,6  
270(550)  
70(117)  
–
1,5  
2,1  
–
VTO  
rt  
IRRM  
Qrr  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
IF = 400 A; Tj = 25 (125) °C2)  
IF = 400 A; Tj = 25 (125) °C2)  
–
1)  
Thermal characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise  
case  
specified  
Rthjc  
Rthjc  
Rthch  
per IGBT  
per diode D  
per module  
–
–
–
–
–
–
0,040  
0,070  
0,038  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
2) IF = – IC, VR = 1200 V,  
–diF/dt = 5000 A/µs, VGE = 0 V  
3) Use VGEoff = – 5 ... – 15 V  
4) Option Visol = 4000V/1 min add suffix  
„H4“ - on request  
5) Limited by terminals to IC(DC) = 500 A  
at Tc = Tterminal ≤ 100 °C  
8) CAL = Controlled Axial Lifetime  
Technology  
© by SEMIKRON  
000828  
B 6 – 73  
123456

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