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SKM50GAR121D

更新时间: 2024-11-17 22:32:15
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 730K
描述
SEMITRANS M IGBT Modules

SKM50GAR121D 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.81
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X7元件数量:1
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:400 W最大功率耗散 (Abs):400 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):250 ns
标称接通时间 (ton):80 nsVCEsat-Max:3.5 V

SKM50GAR121D 数据手册

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