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SKM50GB063D

更新时间： 2024-11-04 22:07:27
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 169K
描述
SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules

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SKM50GB063D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：70 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e3/e4元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：IEC-60747-1子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN/SILVER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：330 ns
标称接通时间 (ton)：90 nsVCEsat-Max：2.5 V
Base Number Matches：1

SKM50GB063D 数据手册

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SEMITRANS® M  
Superfast NPT-IGBT  
Modules  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions 1)  
VCES  
Values  
Units  
V
V
A
A
600  
600  
70 / 50  
140 / 100  
± 20  
VCGR  
IC  
RGE = 20 kΩ  
Tcase = 25/75 °C  
SKM 50 GB 063 D  
ICM  
Tcase = 25/75 °C; tp = 1 ms  
VGES  
Ptot  
V
per IGBT, Tcase = 25 °C  
250  
W
°C  
V
Tj, (Tstg  
Visol  
)
–40 ... +150 (125)  
2500  
AC, 1 min.  
humidity DIN 40040  
Class F  
40/125/56  
climate  
DIN IEC 68 T.1  
Inverse Diode  
IF = –IC  
T
case = 25/80 °C  
75 / 50  
140 / 100  
440  
A
A
IFM = –ICM Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms  
IFSM  
I2t  
tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C  
tp = 10 ms; Tj = 150 °C  
A
SEMITRANS 2  
970  
A2s  
Characteristics  
Symbol Conditions 1)  
min.  
typ.  
max.  
Units  
V(BR)CES VGE = 0, IC = 1,5 mA  
≥ VCES  
4,5  
–
–
5,5  
0,1  
3
–
1,8(2,0)  
2,1(2,4)  
–
–
6,5  
1,5  
–
100  
–
V
V
mA  
mA  
nA  
V
VGE(th)  
ICES  
VGE = VCE, IC = 1 mA  
VGE = 0 Tj = 25 °C  
CE = VCES Tj = 125 °C  
VGE = 20 V, VCE = 0  
GB  
V
–
–
–
–
Features  
IGES  
• N channel, homogeneous Silicon  
structure (NPT- Non punch-  
through IGBT)  
VCEsat  
VCEsat  
gfs  
IC = 30 A  
IC = 50 A  
VCE = 20 V, IC = 50 A  
VGE = 15 V;  
Tj = 25 (125) °C  
2,5(2,8)  
–
V
S
20  
• Low tail current with low  
temperature dependence  
CCHC  
Cies  
Coes  
Cres  
LCE  
per IGBT  
–
–
–
–
–
–
2800  
300  
200  
–
350  
–
–
–
30  
pF  
pF  
pF  
pF  
nH  
VGE = 0  
• High short circuit capability, self  
limiting if term. G is clamped to E  
• Pos. temp.-coeff. of VCEsat  
• 50 % less turn off losses 9)  
• 30 % less short circuit current 9)  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
VCC = 300 V  
–
–
–
–
–
–
50  
40  
300  
30  
2,5  
1,8  
–
–
–
–
–
–
ns  
ns  
ns  
ns  
mWs  
mWs  
VGE = –15 V / +15 V3)  
IC = 50 A, ind. load  
RGon = RGoff = 22 Ω  
Tj = 125 °C  
9)  
• Very low Cies, Coes, Cres  
• Latch-up free  
• Fast & soft inverse CAL diodes 8)  
• Isolated copper baseplate using  
DCB Direct Copper Bonding  
Technology without hard mould  
• Large clearance (10 mm) and  
creepage distances (20 mm)  
Typical Applications  
Inverse Diode 8)  
VF = VEC IF = 50 A  
VGE = 0 V;  
Tj = 25 (125 °C)  
–
1,45(1,35)  
1,7  
V
VTO  
rt  
IRRM  
Qrr  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
–
–
–
–
–
0,9  
15  
–
V
mΩ  
A
10  
31  
3,2  
IF = 50 A; Tj = 125 °C2)  
IF = 50 A; Tj = 125 °C2)  
• Switching (not for linear use)  
• Switched mode power supplies  
• UPS  
–
µC  
Thermal characteristics  
Rthjc  
Rthjc  
Rthch  
per IGBT  
per diode  
per module  
–
–
–
–
–
–
0,5  
1,0  
0,05  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
• Three phase inverters for servo /  
AC motor speed control  
• Pulse frequencies also above  
10 kHz  
1)  
T
= 25 °C, unless otherwise  
case  
specified  
2) IF = – IC, VR = 300 V,  
–diF/dt = 800 A/µs, VGE = 0 V  
3) Use VGEoff = –5... –15 V  
8) CAL = Controlled Axial Lifetime  
Technology  
9) Compared to PT-IGBT  
Cases and mech. data → B 6 – 12  
© by SEMIKRON  
0898  
B 6 – 7  
123456

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