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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-204 |
| 包装说明： | CASE D61, SEMITRANS 2, 7 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 310 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 445 ns | 标称接通时间 (ton)： | 130 ns |
| VCEsat-Max： | 2.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKM50GB123D_06 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules |
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| SKM50GB123D_1 | SEMIKRON |
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SEMITRANS㈢ M IGBT Modules |
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| SKM50GB12T4 | SEMIKRON |
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IGBT4 Modules |
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| SKM50GB12T4_09 | SEMIKRON |
获取价格 |
Fast IGBT4 Modules |
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| SKM50GB12V | SEMIKRON |
获取价格 |
SKM50GB12V |
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| SKM50GD063DL | SEMIKRON |
获取价格 |
SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules |
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| SKM50GD125D | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 73A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| SKM50GDL063D | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE D73, 17 PIN |
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| SKM50GDL063DL | SEMIKRON |
获取价格 |
SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules |
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| SKM50GH063DL | SEMIKRON |
获取价格 |
SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules |
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