5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SKM50GAL12T4
SKM50GAL12T4 PDF预览

SKM50GAL12T4

更新时间： 2024-11-18 09:24:07
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 501K
描述
Fast IGBT4 Modules

阅读下载

中文翻译

获取价格

SKM50GAL12T4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71最大集电极电流 (IC)：81 A
集电极-发射极最大电压：1200 V门极-发射极最大电压：20 V
元件数量：1最高工作温度：175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED子类别：Insulated Gate BIP Transistors
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDVCEsat-Max：2.1 V
Base Number Matches：1

SKM50GAL12T4 数据手册

 浏览型号SKM50GAL12T4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKM50GAL12T4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKM50GAL12T4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SKM50GAL12T4的Datasheet PDF文件第5页 
SKM50GAL12T4  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1200  
81  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
62  
ICnom  
ICRM  
VGES  
50  
ICRM = 3xICnom  
150  
-20 ... 20  
SEMITRANS® 2  
Fast IGBT4 Modules  
SKM50GAL12T4  
Features  
• VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
• High short circuit capability, self  
limiting to 6 x Icnom  
• Fast & soft inverse CAL diodes  
• Large clearance (10 mm) and  
creepage distances (20 mm)  
• Isolated copper baseplate using DBC  
Technology (Direct Copper Bonding)  
• UL recognized, file no. E63532  
VCC = 800 V  
VGE ≤ 15 V  
VCES ≤ 1200 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
65  
49  
A
A
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
50  
A
IFRM = 3xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
150  
A
270  
A
-40 ... 175  
°C  
Freewheeling diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
65  
49  
A
A
Tj = 175 °C  
IFnom  
50  
A
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 3xIFnom  
150  
A
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
270  
A
-40 ... 175  
°C  
Typical Applications*  
• DC/DC – converter  
• Brake chopper  
• Switched reluctance motor  
• DC – motor  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
Tterminal = Tterminal < 80 °C  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
200  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
Visol  
Characteristics  
Remarks  
• Case temperature limited to  
Tc = 125°C max, recomm.  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
IC = 50 A  
VCE(sat)  
T
op = -40 ... +150°C, product  
Tj = 25 °C  
1.85  
2.2  
2.1  
2.4  
V
V
V
GE = 15 V  
rel. results valid for Tj = 150°  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.8  
0.7  
0.9  
0.8  
V
V
21.0  
30.0  
5.8  
24.0  
32.0  
6.5  
mΩ  
mΩ  
V
VGE = 15 V  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 1.7 mA  
Tj = 25 °C  
5
0.1  
0.3  
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
VGE = 0 V  
CE = 1200 V  
V
Tj = 150 °C  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
2.77  
0.20  
0.16  
280  
4.0  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
RGint  
GAL  
© by SEMIKRON  
Rev. 0 – 08.03.2010  
1
12345

中文翻译

下载PDF

与SKM50GAL12T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKM50GAR121D SEMIKRON

获取价格

 		SEMITRANS M IGBT Modules
SKM50GB063D SEMIKRON

获取价格

 		SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules
SKM50GB063D_06 SEMIKRON

获取价格

 		Superfast NPT-IGBT Modules
SKM50GB063D_10 SEMIKRON

获取价格

 		Superfast NPT-IGBT Modules
SKM50GB100D SEMIKRON

获取价格

 		SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules
SKM50GB101D SEMIKRON

获取价格

 		SEMITRANS M IGBT Modules
SKM50GB121D SEMIKRON

获取价格

 		SEMITRANS M IGBT Modules
SKM50GB123D SEMIKRON

获取价格

 		SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM50GB123D_06 SEMIKRON

获取价格

 		IGBT Modules
SKM50GB123D_1 SEMIKRON

获取价格

 		SEMITRANS㈢ M IGBT Modules

与SKM50GAL12T4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证