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SKM50GAL12T4

更新时间： 2024-09-15 09:24:07
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 501K
描述
Fast IGBT4 Modules

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SKM50GAL12T4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71最大集电极电流 (IC)：81 A
集电极-发射极最大电压：1200 V门极-发射极最大电压：20 V
元件数量：1最高工作温度：175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED子类别：Insulated Gate BIP Transistors
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDVCEsat-Max：2.1 V
Base Number Matches：1

SKM50GAL12T4 数据手册

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SKM50GAL12T4  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1200  
81  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
62  
ICnom  
ICRM  
VGES  
50  
ICRM = 3xICnom  
150  
-20 ... 20  
SEMITRANS® 2  
Fast IGBT4 Modules  
SKM50GAL12T4  
Features  
• VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
• High short circuit capability, self  
limiting to 6 x Icnom  
• Fast & soft inverse CAL diodes  
• Large clearance (10 mm) and  
creepage distances (20 mm)  
• Isolated copper baseplate using DBC  
Technology (Direct Copper Bonding)  
• UL recognized, file no. E63532  
VCC = 800 V  
VGE ≤ 15 V  
VCES ≤ 1200 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
65  
49  
A
A
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
50  
A
IFRM = 3xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
150  
A
270  
A
-40 ... 175  
°C  
Freewheeling diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
65  
49  
A
A
Tj = 175 °C  
IFnom  
50  
A
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 3xIFnom  
150  
A
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
270  
A
-40 ... 175  
°C  
Typical Applications*  
• DC/DC – converter  
• Brake chopper  
• Switched reluctance motor  
• DC – motor  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
Tterminal = Tterminal < 80 °C  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
200  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
Visol  
Characteristics  
Remarks  
• Case temperature limited to  
Tc = 125°C max, recomm.  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
IC = 50 A  
VCE(sat)  
T
op = -40 ... +150°C, product  
Tj = 25 °C  
1.85  
2.2  
2.1  
2.4  
V
V
V
GE = 15 V  
rel. results valid for Tj = 150°  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.8  
0.7  
0.9  
0.8  
V
V
21.0  
30.0  
5.8  
24.0  
32.0  
6.5  
mΩ  
mΩ  
V
VGE = 15 V  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 1.7 mA  
Tj = 25 °C  
5
0.1  
0.3  
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
VGE = 0 V  
CE = 1200 V  
V
Tj = 150 °C  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
2.77  
0.20  
0.16  
280  
4.0  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
RGint  
GAL  
© by SEMIKRON  
Rev. 0 – 08.03.2010  
1
12345

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