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SIR403EDP-T1-GE3 PDF预览

SIR403EDP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-18 21:17:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 365K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SIR403EDP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.76
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.0065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIR403EDP-T1-GE3 数据手册

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New Product  
SiR403EDP  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Extended VGS range ( 25 V) for adaptor switch  
applications  
a, e  
VDS (V)  
RDS(on) () Max.  
0.0065 at VGS = - 10 V  
0.0082 at VGS = - 6 V  
0.0115 at VGS = - 4.5 V  
Qg (Typ.)  
ID  
•
•
•
•
•
Extremely low RDS(on)  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
Typical ESD Performance: 4000 V (HBM)  
Material categorization: For definitions of  
compliance please see www.vishay.com/doc?99912  
- 40  
- 40  
- 40  
- 30  
66 nC  
PowerPAK® SO-8  
APPLICATIONS  
S
S
•
•
Adaptor Switch, Load Switch  
Power Management  
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
• Notebook Computers and Portable  
Battery Packs  
4
D
8
G
D
7
D
6
D
5
Bottom View  
D
Ordering Information:  
SiR403EDP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 30  
25  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
- 40e  
- 40e  
- 21.9b,c  
- 17.5b,c  
- 60  
- 40e  
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
- 4.2b, c  
- 40  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
80  
mJ  
W
56.8  
36.4  
5b,c  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
TA = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
T
3.2b,c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature) f,g  
- 55 to 150  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
20  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJA  
RthJC  
t 10 s  
Steady State  
25  
°C/W  
1.7  
2.2  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 68 °C/W.  
e. Package Limited  
f. See solder profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
g. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 66744  
S13-0302-Rev. A, 11-Feb-13  
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
This document is subject to change without notice.  
www.vishay.com  
1
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
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