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SIR410DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-18 19:21:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 375K
描述
MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC

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SIR410DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.53
雪崩能效等级（Eas）：61 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.0048 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIR410DP-T1-GE3 数据手册

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SiR410DP  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PowerPAK® SO-8 Single  
D
• TrenchFET® power MOSFET  
• 100 % Rg and UIS tested  
• Material categorization:  
D
7
8
D
6
D
5
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
1
S
D
APPLICATIONS  
2
3
S
S
• DC/DC converter  
- Notebook  
- POL  
4
G
1
Top View  
Bottom View  
G
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
20  
RDS(on) max. () at VGS = 10 V  
RDS(on) max. () at VGS = 4.5 V  
Qg typ. (nC)  
0.0048  
0.0063  
16.7  
S
N-Channel MOSFET  
ID (A)  
35 a  
Configuration  
Single  
ORDERING INFORMATION  
Package  
PowerPAK SO-8  
Lead (Pb)-free and halogen-free  
SiR410DP-T1-GE3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
20  
UNIT  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDS  
VGS  
V
20  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
35 a  
T
35 a  
Continuous drain current (TJ = 150 °C)  
ID  
23 b, c  
18.6 b, c  
60  
A
Pulsed drain current  
Avalanche current  
Avalanche energy  
IDM  
IAS  
EAS  
35  
61  
30  
3.5 b, c  
36  
L = 0.1 mH  
mJ  
A
T
C = 25 °C  
TA = 25 °C  
C = 25 °C  
Continuous source-drain diode current  
IS  
T
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
23  
Maximum power dissipation  
PD  
W
4.2 b, c  
2.7 b, c  
-55 to +150  
260  
Operating junction and storage temperature range  
Soldering recommendations (peak temperature) d, e  
TJ, Tstg  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
Maximum junction-to-ambient b, f  
SYMBOL  
RthJA  
RthJC  
TYPICAL  
25  
MAXIMUM  
UNIT  
t 10 s  
Steady state  
30  
3.5  
°C/W  
Maximum junction-to-case (drain)  
2.9  
Notes  
a. Package limited  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board  
c. t = 10 s  
d. See solder profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components  
f. Maximum under steady state conditions is 70 °C/W  
S17-1825-Rev. B, 11-Dec-17  
Document Number: 68997  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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