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SIR432DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-18 21:15:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 123K
描述
Trans MOSFET N-CH 100V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SIR432DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
雪崩能效等级（Eas）：14.5 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：28.4 A最大漏极电流 (ID)：8.6 A
最大漏源导通电阻：0.0306 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-C5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：54 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIR432DP-T1-GE3 数据手册

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SiR432DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
28.4  
Definition  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
0.0306 at VGS = 10 V  
0.0327 at VGS = 7.5 V  
100  
15.5 nC  
27.5  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
Primary Side Switch  
•
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
D
G
8
D
7
D
6
D
5
S
Bottom View  
Ordering Information: SiR432DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
100  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
A
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
TA = 70 °C  
28.4  
22.7  
8.6b, c  
6.9b, c  
40  
40g  
4.2b, c  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
T
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
Avalanche Current  
IAS  
17  
L = 0.1 mH  
Single-Pulse Avalanche Energy  
EAS  
14.5  
54  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
34.7  
5.0b, c  
3.2b, c  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
20  
25  
°C/W  
RthJC  
1.8  
2.3  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.  
Document Number: 65163  
S09-1494-Rev. A, 10-Aug-09  
www.vishay.com  
1
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