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SIR472DP-T1-GE3 PDF预览

SIR472DP-T1-GE3

更新时间： 2024-02-24 17:28:38
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 308K
描述
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SIR472DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7.85
Samacsys Description：MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8雪崩能效等级（Eas）：24 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C5
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：29.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIR472DP-T1-GE3 数据手册

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SiR472DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a, g  
20  
• TrenchFET® Power MOSFET  
RoHS  
0.012 at VGS = 10 V  
0.015 at VGS = 4.5 V  
Low Thermal Resistance PowerPAK®  
COMPLIANT  
•
•
30  
6.8 nC  
20  
Package with Low 1.07 mm Profile  
Optimized for High-Side Synchronous Rectifier  
Operation  
PowerPAK SO-8  
•
•
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
APPLICATIONS  
2
S
3
G
4
•
Notebook CPU Core  
- High-Side Switch  
D
G
8
D
7
D
6
D
5
S
Bottom View  
Ordering Information: SiR472DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
30  
Unit  
V
20  
20g  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
20g  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
14b, c  
11b, c  
50  
20g  
3.2b, c  
22  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
IAS  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
24  
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
29.8  
19.0  
3.9b, c  
2.5b, c  
T
PD  
Maximum Power Dissipation  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
27  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
32  
°C/W  
3.5  
4.2  
Notes:  
a. Base on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 70 °C/W.  
g. Package Limited.  
Document Number: 68897  
S-82488-Rev. C, 13-Oct-08  
www.vishay.com  
1
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SIR472DP-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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