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SIR468DP-T1-GE3

更新时间： 2024-02-14 15:35:36

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	311K
描述
Trans MOSFET N-CH 30V 22.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SIR468DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.82
雪崩能效等级（Eas）：	61 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	最大漏极电流 (ID)：	22.7 A
最大漏源导通电阻：	0.0057 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XDSO-C5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIR468DP-T1-GE3 数据手册

SiR468DP

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^a

TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gTested

RoHS

0.0057 at V_GS= 10 V

0.0076 at V_GS= 4.5 V

COMPLIANT

13.8 nC

• 100 % UIS Tested

APPLICATIONS

PowerPAK SO-8

•

Low-Side Switch

• Notebook DC/DC

6.15 mm

5.15 mm

Bottom View

N-Channel MOSFET

Ordering Information: SiR468DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DS

V_GS

Limit

Unit

40^a

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

40^a

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

22.7^{b, c}

19.7^{b, c}

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Avalanche Energy

I_DM

I_AS

E_AS

40^a

4.1^{b, c}

L = 0.1 mH

_C= 25 °C

_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

I_S

T_C= 25 °C

_C= 70 °C

Maximum Power Dissipation

P_D

5^{b, c}

3.2^{b, c}

- 55 to 150

260

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

R_thJC

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

°C/W

2.0

2.5

Notes:

a. Based on T_C= 25 °C. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed

and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 70 °C/W.

Document Number: 68824

S-82287-Rev. B, 22-Sep-08

www.vishay.com

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SIR468DP-T1-GE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI7784DP-T1-GE3	VISHAY	类似代替	Trans MOSFET N-CH 30V 21.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SIR402DP-T1-GE3	VISHAY	类似代替	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与SIR468DP-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIR470DP	VISHAY	获取价格	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SiR472ADP	VISHAY	获取价格	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIR472DP	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIR472DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SIR474DP	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIR474DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIR476DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIR-481ST3F/L	ROHM	获取价格	Infrared LED, 5mm, 1-Element, 940nm
SIR-481ST3F/LM	ROHM	获取价格	Infrared LED, 5mm, 1-Element, 940nm
SIR-481ST3F/M	ROHM	获取价格	暂无描述

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