5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SIR482DP-T1-GE3
SIR482DP-T1-GE3 PDF预览

SIR482DP-T1-GE3

更新时间： 2024-09-28 19:57:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 342K
描述
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Cut TR (SOS)

阅读下载

中文翻译

获取价格

SIR482DP-T1-GE3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：20 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.0075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C5
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：27.7 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIR482DP-T1-GE3 数据手册

 浏览型号SIR482DP-T1-GE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SIR482DP-T1-GE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SIR482DP-T1-GE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SIR482DP-T1-GE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SIR482DP-T1-GE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SIR482DP-T1-GE3的Datasheet PDF文件第7页 
New Product  
SiR482DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a, g  
Definition  
35g  
35g  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
0.0056 at VGS = 10 V  
0.0075 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
30  
12 nC  
PowerPAK® SO-8  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
•
Synchronous Rectification  
DC/DC  
- High-Side Switch  
- Notebook PC  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
D
1
S
2
S
3
G
4
D
8
D
G
7
D
6
D
5
Bottom View  
S
Ordering Information: SiR482DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
35g  
35g  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
22.2b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
17.8b, c  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (300 µs)  
70  
35g  
4.5b, c  
20  
T
C = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
L =0.1 mH  
TC = 25 °C  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS  
mJ  
W
20  
27.7  
TC = 70 °C  
17.7  
PD  
Maximum Power Dissipation  
5.0b, c  
3.2b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
20  
Maximum  
Unit  
t 10 s  
25  
°C/W  
Steady State  
RthJC  
3.4  
4.5  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 70 °C/W.  
g. Package limited.  
Document Number: 66849  
S10-2253-Rev. A, 04-Oct-10  
www.vishay.com  
1
1234567...13

中文翻译

下载PDF

SIR482DP-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SIR330DP-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

与SIR482DP-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SIR482ST3 ROHM

获取价格

 		Infrared LED, 940nm
SIR-482ST3F/K ROHM

获取价格

 		Infrared LED, 5mm, 1-Element, 940nm
SIR-482ST3F/KL ROHM

获取价格

 		Infrared LED, 5mm, 1-Element, 940nm
SIR-482ST3F/KM ROHM

获取价格

 		Infrared LED, 5mm, 1-Element, 940nm
SIR-482ST3F/L ROHM

获取价格

 		Infrared LED, 5mm, 1-Element, 940nm
SIR-482ST3F/LM ROHM

获取价格

 		Infrared LED, 5mm, 1-Element, 940nm
SIR-482ST3F/M ROHM

获取价格

 		Infrared LED, 5mm, 1-Element, 940nm
SIR484DP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIR484DP-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 20V 17.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SIR492DP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

与SIR482DP-T1-GE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证