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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.40.20.00 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 最大正向电流： | 0.1 A | JESD-609代码： | e1 |
| 功能数量： | 1 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 光电设备类型： | INFRARED LED |
| 标称输出功率： | 8 mW | 峰值波长： | 950 nm |
| 形状： | ROUND | 尺寸： | 5 mm |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIR-505STA47_07 | ROHM |
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Infrared light emitting diode, top view type |
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| SIR5102DP | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SiR5108DP | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SiR510DP | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SiR5110DP | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SiR5112DP | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SiR512DP | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SiR514DP | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SiR516DP | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SIR5208DP | VISHAY |
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N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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