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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.85 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 27 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0038 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XDSO-C5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -50 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIR494DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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| SIR494DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
|
| SIR496DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
|
| SiR500DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30 V (D-S) 150 °C MOSFET |
|
| SIR-505STA47 | ROHM |
获取价格 |
Infrared light emitting diode, top view type |
|
| SIR-505STA47_07 | ROHM |
获取价格 |
Infrared light emitting diode, top view type |
|
| SIR5102DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
|
| SiR5108DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
|
| SiR510DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SiR5110DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
|
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